浅谈NAND闪存存储器可靠性问题的基础科学研究

发布时间: 2017-04-07

报告题目:浅谈NAND闪存存储器可靠性问题的基础科学研究
报告人:陈杰智 教授(山东大学,青年千人)
主持人:陈时友 教授
报告时间:2017410日,上午1000
报告地点:信息楼133

报告内容:半导体存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一,随着大数据、云计算、物联网等技术的兴起,需要存储分析的信息正在爆炸式地增长。为克服器件尺寸缩小所面临的物理极限,继续提高集成密度,三维立体存储器将取代二维平面存储器,成为未来十几年大容量非挥发存储器的主流产品形态。本报告将从二维平面存储器到三维立体存储器,聚焦NAND闪存存储器可靠性研究中所涉及的基础科学问题,探索系统、电路、器件以及材料在可靠性特性上的直接关联,并重点讲述如何通过原子尺度的计算与器件可靠性测量相结合来理解或是提高器件及系统的可靠性特性。

报告人简介:陈杰智,男,山东大学信息科学与工程学院教授,第十二批青年千人计划入选者。陈杰智教授,2006年至2009年师从于东京大学生産技術研究所著名的半导体器件专家平本俊郎教授,期间对硅基纳米线晶体管从工艺制备到载流子量子输运的物理机制做了全面深入的探索和研究;2010年,受聘于日本东芝研究开发中心,从事纳米器件、NAND闪存存储器、以及SSD固态存储器的可靠性机理研究;2016年通过第十二批青年千人计划回到山东大学。目前其主要研究方向包括:纳米器件中载流子输运特性的研究、半导体存储器器件可靠性物理机制的研究、以及云存储系统中芯片指纹的设计。其主要学术成果于2008-2016间九次在国际权威器件研究会议IEDMVLSI Technology做报告,并已经获得多项美国专利和日本专利授权。目前其为IEDM国际电子器件会议可靠性方向(CRY)技术委员、VLSI TechnologyIRPS会议的审稿人、以及IEEE系列权威杂志的审稿人。

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